Infineon gewinnt Patentstreit um bahnbrechende Galliumnitrid-Chips gegen Innoscience
Ben Nette
Infineon gewinnt Patentstreit um bahnbrechende Galliumnitrid-Chips gegen Innoscience
Das Landgericht München hat in zwei Patentverletzungsverfahren zugunsten von Infineon Technologies entschieden, bei denen es um Galliumnitrid-Technologie (GaN) ging. Das Gericht stellte fest, dass das chinesische Unternehmen Innoscience unberechtigt patentierte GaN-Innovationen von Infineon genutzt hatte. Dieses Urteil bedeutet die dritte und vierte juristische Niederlage für Innoscience in Streitigkeiten um die geistigen Eigentumsrechte von Infineon.
Das Gericht untersagte Innoscience die Herstellung, den Verkauf oder die Vermarktung von GaN-Produkten, die gegen die Patente verstoßen, auf dem deutschen Markt. Zudem wurde das Unternehmen zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon wegen der unrechtmäßigen Nutzung der Technologie verurteilt.
Johannes Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN-Systems-Geschäftseinheit bei Infineon, betonte die Bedeutung des Urteils. Er erklärte, die Entscheidung unterstreiche die Stärke des GaN-Portfolios von Infineon sowie den Willen des Unternehmens, sein geistiges Eigentum zu schützen. Infineon verfügt über das branchenweit umfangreichste Patentportfolio in diesem Bereich mit rund 450 GaN-Patentfamilien.
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Die GaN-Technologie ist entscheidend für die Entwicklung hochleistungsfähiger und energieeffizienter Stromversorgungssysteme in zahlreichen Branchen. Infineon bleibt verpflichtet, durch geschützte Technologien Halbleiterinnovationen voranzutreiben, um globale Herausforderungen zu bewältigen.
Das Urteil festigt Infineons Position als führender Anbieter von GaN-Innovationen. Innoscience muss nun die gerichtlichen Auflagen sowie die finanziellen Strafen einhalten. Der Fall setzt einen Präzedenzfall für den Schutz geistigen Eigentums in der Halbleiterbranche.
